成果名稱：新型功率半導體器件VDMOS開發

完成單位：吉林華微電子股份公司

成果來源：計劃外自選項目

批 準 號：鑒字［2007］第017號

成果簡介：該項目對新型功率半導體器件VDMOS產業化關鍵技術進行了開發。在器件結構的設計上，采取鈍角代替直角，減少了在溝道拐角處電荷的富集，減低了局域電場，提高了器件的擊穿電壓；在器件制備工藝上，采用襯底粗糙技術，降低了通態電阻；采用高能量As離子注入和薄二氧化硅保護層技術相結合，既避免了高能離子注入對半導體材料的損傷效應，又提高了界面截流子濃度，改善了均勻性；采用復合柵技術，減低了柵極電阻，提高了器件的穩定性。產品經中國賽寶（吉林）實驗室/吉林省電子信息產品監督檢驗研究院檢測，主要性能指標達到了fairchild公司同類產品水平。